Ini bukan sekedar bualan, sebab sejumlah tim ilmuwan dari Rice University yang dipimpin oleh James Tour tengah mengembangkan teknologi Resistive Random-acces Memory (RRAM) terbaru.
RRAM merupakan generasi baru yang siap dilahirkan untuk menjawab kebutuhan akan keterbatasan memasukan ruang yang lebih luas di dalam satu buah perangkat smartphone.
Teknologi ini selain jauh lebih efisien dan bertenaga, juga dikembangkan menggunakan bahan yang disebut silikon oksida. Yang disebut Tour sebagai bahan yang melimpah di bumi, seperti pasar dan kaca.
"Ini adalah material yang menakjubkan, industri bisa memahami itu," jelasnya, seperti dikutip detikINET dari CNN, Senin (5/1/205).
Teknologi RRAM besutan tim Rice University ini tak membutuhkan tegangan dan suhu tinggi yang membuatnya menjadi sulit diproduksi dan dibanderol mahal.
RRAM besutan Tour dan kawan-kawan akan bekerja seperti halnya flash memory yang menyimpan data tanpa pasokan listrik terus menerus.
Kelebihan lainnya lainnya adalah kondisi yang lebih padat dari RRAM versi sebelumnya. Disebutkan oleh Toure, memori menyimpan 9 bit per sel, sedangkan untuk memori flash konvensional hanya menyimpan 3 bit per sel.
Dengan kondisi tersebut membuat memori penyimpanan hingga terabyte untuk smartphone dengan harga terjangkau sangat mungkin terjadi.
(tyo/rou)
