Umumnya keping memori yang ada di pasaran memiliki kapasitas paling besar 8 GB. Edannya, Hynix membuat keping memori DDR 4 yang memiliki kapasitas berkali-kali lipat lebih besar dengan ukuran sebesar 128 GB.
Dalam pembuatannya, Hynix menggunakan chip memori 8 GB besutannya yang mengandalkan pabrikasi 20 nm. Adapun untuk menghubungkan satu chip dengan yang lainnya Hynix menerapkan teknologi TSV (Through Silicon Via) yang memungkinkan sambungan arus melewati die silicon.
Nantinya keping memori DDR 4 berkapasitas 128 GB besutan Hynix ini akan berjalan pada kecepatan 2133 MHz, dan sanggup menyodorkan bandwidth sebesar 17 GB per detik saat berjalan pada kanal tunggal 64-bit.
Menariknya, dengan kapasitasnya yang besar nyatanya konsumsi dayanya lebih rendah dengan hanya 1,2 volt per kepingnya. Bandingkan dengan keping memori DDR3 yang menyedot daya sebesar 1,5 volt.
Seperti detikINET kutip dari VR-Zone, Selasa (8/4/2014), produksi keping memori DDR 128 GB besutan produsen chip pesaing terkuat Samsung ini rencananya akan dimulai pada awal semester tahun 2015 mendatang.
Namun tentunya teknologi anyar yang disodorkan Hynix ini juga harus diikuti oleh perkembangan pasar, karena saat ini saja mainboard kelas atas rata-rata baru mendukung kapasitas maksimal 32 GB dari seluruh keping memori yang terpasang.
(yud/ash)
